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　　P．西费尔特，E．E．克里梅尔 编 　　本书为关于硅材料的工艺学发展、演化和今后新进展的专著。硅的应用广泛，是一种重要的应用材料，因此硅的研究受到重视。 　　全书共含引言和25章，分为九大部分。第1章引言，论述了1960年以后硅的理论、性能和应用等方面的进展和将来发展。第一部分为晶体半导体硅(包括第2～3章)：论述硅：半导体材料，工业方面的事业，主要的进程等。第二部分为多晶硅(包括第4、5章)：论述电子器件用的多晶硅膜，光生伏打器件用的硅等。第三部分为外延、膜和多孔层(包括第6～8章)：论述分子束外延制成薄膜，非晶氢化的硅、a-Si：H，绝缘体上的硅和多孔硅等。第四部分为晶格缺陷(包括第9～10章)：论述缺陷光谱术，硅及其在扫描试探显微术演化中的重要作用。第五部分为掺杂的硅(包括第11～12章)：论述缺陷、扩散、离子植入、再结晶和介电，硅的中子嬗变参杂。第六部分为有益杂质的作用(包括第13～14章)：论述硅中的过度金属杂质、氢、氢原子和氢分子。第七部分为器件(包括第15～20章)：论述功率半导体器件，补偿器件制服硅的限制线，集成电路，硅纳米电子学：下一个20年，硅纳米技术的光刻术，硅传感器。第八部分为补充硅：复合半导体(包括第21章)。第九部分为新的激发场：用硅得到汞合金化(包括第22～25章)：论述在SiGe异质结结构中用电子自旋产生量子计算，在微电子学中碳纳米器的应用，环境知识的产生系统，带智力的半导体。
　　本书内容既新又丰富，是这方面的重要著作，可供高等学校材料系、物理系及相关专业的教师、研究生和高年级学生参阅，也可供从事物理材料研究和应用的科技工作者参考。
　　李国栋，研究员
　　(中国科学院物理学研究所)